在現代高效能運算 (HPC) AI 伺服器、車載自動駕駛計算平台（SoC）以及高密度網通設備中，高功率 CPU 與 GPU 晶片的熱流密度持續爬升。在標準機箱氣冷或直接冷板水冷（Direct-to-Chip Liquid Cooling）架構下，導熱墊片（TIM Gap Pad）被廣泛應用於晶片與散熱器/水冷板之間，用以填補微觀公差並建立高效傳熱路徑。
然而，這類設備通常在高溫環境（100°C 至 150°C）下連續長時間服役。傳統導熱墊片在持續高溫下，其內部殘留的未反應低分子環狀矽氧烷（如 D4 至 D10 寡聚物）會發生熱氣化（Volatilization）並從墊片邊緣逸出。這些氣化的低分子矽氧烷會在機箱內周圍的高頻電路觸點、光學感測器透鏡或金手指表面冷凝沉積，形成絕緣矽二氧化物薄膜，引發訊號失真、接觸不良與組件失效。此外，高溫下的矽油滲出（Bleeding）還會導致墊片逐漸乾硬微裂，使接合面熱阻（TIM-2）非線性爬升。高信賴性低揮發導熱墊片 (Low-Volatile Thermal Conductive Pad) 透過精密分子鏈鎖定與高熱穩定性體系，有效解決了高溫服役下的熱揮發污染與熱阻爬升工程痛點。
材料科學原理：低分子熱揮發動力學與 TIM-2 熱阻穩定模型
立興 (Lixing) 所研發的高性能低揮發導熱墊片，其在高溫長效服役下的高穩定性建立在以下精密高分子物理與介面熱力學模型之上：
高溫低分子熱揮發（Volatilization Kinetics）與 Langmuir 蒸發模型： 高溫下低分子環狀矽氧烷（D4-D10）從導熱墊片表面的熱氣化速率 dm/dt 遵循修正後的 Langmuir 蒸發純文字公式：
dm/dt = A * P_sat * (M / (2 * pi * R * T))^0.5 * (1 – C_locked) (純文字：dm/dt = A * P_sat * (M / (2 * pi * R * T))^0.5 * (1 – C_locked)，其中 dm/dt 為單位時間的高溫熱揮發質量速率，A 為蒸發有效表面積，P_sat 為低分子矽氧烷在高溫 T 下的飽和蒸氣壓，M 為寡聚物摩爾質量，R 為通用氣體常數，T 為熱源絕對溫度，C_locked 為高分子網格對低分子的化學鎖定係數) 立興透過高熱真空深脫氣工藝（High-Vacuum Stripping）結合特種矽烷化反應，將 P_sat 降至極低，並使鎖定係數 C_locked 趨近於 1，使 125°C 長期高溫烘烤下的總揮發量（CVCM）低於 0.01%，完全杜絕對周圍光學與電學元件的污染。
高溫低滲油率與 TIM-2 界面接觸熱阻長效維持模型： 高溫下若遊離矽油大量滲出（Bleeding），會打破墊片內部的「矽膠-填料」熱傳導網絡。導熱墊片在長時間高溫服役後的 TIM-2 界面熱阻 R_contact 遵循以下傅立葉與介面潤濕純文字公式：
R_contact = (d_pad / K_pad) + (Ra / (P_clamping * W_wetting)) (純文字：R_contact = (d_pad / K_pad) + (Ra / (P_clamping * W_wetting))，其中 R_contact 為長效總界面熱阻，d_pad 為墊片厚度，K_pad 為本體熱導率，Ra 為晶片表面微觀粗糙度，P_clamping 為組裝壓強，W_wetting 為材料的高溫微觀潤濕因子) 立興導熱墊片採用高活性鉑金加成硫化網路，將滲油率（Bleeding Rate）控制在 < 0.1%，確保高溫下 W_wetting 與 K_pad 不發生熱老化衰退，使 R_contact 長效保持低水平。
優異的低壓縮應力與電絕緣可靠性： 在極低壓力下即具備高度自適應貼合能力，防範組裝應力損傷晶片；同時提供高擊穿電壓與高耐候性，符合高可靠度工業規範。
工業應用場景
AI 伺服器與高效能運算 (HPC) CPU/GPU 散熱： 應用於氣冷風道或直接冷板水冷（Direct-to-Chip）環境，貼合於晶片與散熱器之間，長效維持低熱阻且不揮發污染高頻線路。
車載自動駕駛域控制器（ADAS SoC）與 5G 基地台： 應對戶外高溫環境與長時間運作，防範低分子揮發污染鏡頭感測器與電路觸點。
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